浦東新區(qū)科技發(fā)展基金產學研專項資金(電子信息)
一、主管部門
浦東新區(qū)科技和經濟委員會
二、政策依據
《浦東新區(qū)科技發(fā)展基金管理辦法》(浦府規(guī)〔2021〕1號)
《浦東新區(qū)科技發(fā)展基金產學研專項資金操作細則》(浦科經委規(guī)〔2021〕2號)
《2022年度浦東新區(qū)科技發(fā)展基金產學研專項(電子信息)申報指南》
三、扶持政策
1、項目資助資金不超過項目總經費的30%,單個項目的最高資助額度不超過200 萬元。
2、項目執(zhí)行期為兩年,立項項目采取事后資助方式,驗收通過后一次性撥付資助資金。項目經費由企業(yè)先行投入,單獨核算,??顚S谩?/span>
四、申報時間
2022年6月20日—2022年7月31日
五、資助對象
資助對象為工商注冊、稅收戶管均在浦東新區(qū),且經營狀態(tài)正常、財務制度健全、信用記錄良好、具有承擔項目建設能力的企業(yè)。
六、征集范圍
專題1、集成電路
研究目標:加快集成電路關鍵領域核心技術聯合攻關和產品開發(fā),提升集成電路領域上下游企業(yè)協同創(chuàng)新能力,支持創(chuàng)新成果在本區(qū)實施產業(yè)化。
研究內容:
1、支持高端和大宗芯片產品。面向桌面或服務器的自主高性能通用處理器(CPU)、圖像處理器(GPU)、數據處理器(DPU)、現場可編程門陣列(FPGA)、數字信號處理器(DSP)、5G高速通信芯片、高性能存儲芯片、高端模擬及數?;旌闲酒刃酒a品。
2、支持多層次行業(yè)應用芯片。面向智能網聯汽車、工業(yè)互聯網、物聯網、智能終端等領域,支持傳感、控制(MCU)、功率、射頻、連接、轉換、驅動、信息安全、電源管理等領域核心芯片研發(fā)。
3、支持基于RISC-V指令集架構的芯片研發(fā);具有自主知識產權的EDA和IP研發(fā);邊緣計算SOC芯片研發(fā);集成電路高端裝備用核心零部件和配套材料研發(fā);第三代半導體材料和器件研發(fā)。
執(zhí)行期限:不超過2年,2024年6月30日前完成。
專題2、新一代通信和新型顯示
研究目標:加快新一代通信和新型顯示關鍵領域核心技術聯合攻關和產品開發(fā),支持創(chuàng)新成果在本區(qū)實施產業(yè)化。
研究內容:
1、新一代通信支持基于5G及新一代通信技術(包括低軌衛(wèi)星互聯網、光通信、量子通信等) 前沿領域核心元器件(包括功率放大器、濾波器、大規(guī)模天線陣列等)、模塊、終端,測試設備和測試方案的集成研發(fā)。
2、新型顯示支持有機發(fā)光顯示(AMOLED)、微型發(fā)光顯示(MicroLED,MiniLED)、全息顯示等新興技術研發(fā)。
執(zhí)行期限:不超過2年,2024年6月30日前完成。
七、申報要求
1、項目責任人應承諾所提交材料真實性,不含涉密內容;申報單位應當對申請材料的真實性進行審核。
2、項目申報主體須由新區(qū)企業(yè)牽頭,聯合1-2家高校、科研院所、相關功能性平臺等共同申報。項目承擔方需要有較強的項目研究基礎、人員配備和經費保障,合作單位為長三角區(qū)域內微電子、通信等領域的高校、科研院所、相關功能性平臺,在合作項目相關技術領域達到國際國內領先水平。合作協議應是2021年7月1日后簽署的協議。
3、項目資助資金不超過項目總經費的30%,單個項目最高資助額度不超過200萬元,項目經評審后擇優(yōu)立項。資助資金應保障合作機構的各項經費支出。
4、已經獲得國家、上海市和區(qū)級其他財政資金資助的項目不得申報本專項。
5、同一企業(yè)原則上只能申報一個項目。同一申報企業(yè)承擔本專項資金支持的項目尚未完成驗收的,不再予以支持。
6、產學研合作方項目牽頭人原則上只能合作申報一個產學研項目。同一合作方牽頭人承擔本專項資金支持的項目尚未完成驗收的,不再予以支持。
八、申報材料
1、項目申請表;
2、項目可行性方案;
3、合作協議書;
4、視項目情況補充的相關證明材料,包括已獲知識產權、資質證明、前2年年度審計報告等。
2022年度浦東新區(qū)科技發(fā)展基金產學研專項(電子信息領域)建議立項名單
序號 | 項目名稱 | |
1 | 全國產化低功耗56G Serdes IP | |
2 | 面向5G室分通信系統的基帶邊緣服務器關鍵技術研究及產業(yè)化 | |
3 | 應用于EPS系統中轉向輔助電機控制驅動芯片及模組設計 | |
4 | 基于雙模態(tài)顯微系統的圖像處理芯片產業(yè)化 | |
5 | 高效率低功耗混合型電源管理芯片研發(fā) | |
6 | 面向智能網聯汽車的車規(guī)級微控制器研發(fā) | |
7 | 集成功率放大器、低噪聲放大器、多工器和開關的5G射頻前端模組 | |
8 | 基于N2氣泡技術的濕法刻蝕關鍵零部件開發(fā) |
2021年度浦東新區(qū)科技發(fā)展基金產學研專項(電子信息領域)建議立項名單
序號 | 項 目 名 稱 |
1 | 面向音頻特征處理的RISC-V邊緣計算SoC芯片研制 |
2 | 符合移動終端融合快速充電技術規(guī)范(UFCS)及USB PD規(guī)范的適用于移動設備融合快速充電電源管理芯片、模組 |
3 | 5G 基站射頻收發(fā)器芯片的研發(fā)及產業(yè)化 |
4 | 基于創(chuàng)新構架的國產高性能RISC-V 通用MCU芯片 |
5 | 適用于車路協同的智能交通毫米波雷達芯片研發(fā) |
6 | 車載Mini LED顯示技術開發(fā) |
7 | 面向大規(guī)模卷積神經網絡的存算一體多核芯片研究 |
8 | 研發(fā)新型嵌入式閃存抗輻射加固項目 |
9 | 車規(guī)級5G通信模組的研發(fā)項目 |
10 | 新一代基于SDN的用于承載5G回傳的PON高速接入產品 |
11 | AR用 Micro LED微顯示器的集成制備 |